核心技术创新
针对碳化硅（SiC）材料高硬度、高脆性、加工难度大等特性，我们通过自主研发的核心技术，在减薄、抛光及CMP工艺中实现颠覆性突破，为半导体产业提供高精度、高效率、高稳定性的解决方案。
减薄工艺效率与精度的双重跃升
高功率高刚性空气主轴系统
行业领先的刚性支撑结构，实现高速稳定加工，大幅提升切削效率。
超精密研磨载台
纳米级平面控制技术，确保晶片全局平坦度，为后续工艺奠定基础。
自适应厚度控制系统
实时动态补偿技术，攻克SIC材料厚度一致性行业难题。
单面抛光工艺压力控制与结构革新
超大压力抛光平台
突破性高负载设计，显著提升材料去除速率与产能。
低重心抗振结构
专利机械架构设计，实现设备长时间高稳定性运行。
三分区智能加压系统
晶片分区独立压力控制，优化边缘至中心的面型精度，提升良率。
温压协同控制模块
压力与温度精密联动控制，消除热变形影响，达成超精密抛光。
双面抛光工艺纳米级平坦与零缺陷控制
动态盘形稳定技术
实时形变补偿系统，实现晶片纳米级全局平坦度。
高刚性多级缓冲结构
创新主体支撑设计，增强抗冲击性并延长设备寿命。
智能裂片预警系统
AI多传感融合技术，提前预判晶片破损风险，近乎消除废片。
CMP工艺纳米级平坦与零缺陷控制
抛头内外圈压力解耦技术
内外圈独立压力控制（专利技术），实现晶片全域一致性抛光。
高刚性工作盘架构
强化承压能力设计，满足第三代半导体高效抛光需求。